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首頁(yè)歐美晶振Q-Tech晶振QTCH570ND90-40.000MHz|美國(guó)Q-Tech進(jìn)口晶振|6G模塊晶振

    QTCH570ND90-40.000MHz|美國(guó)Q-Tech進(jìn)口晶振|6G模塊晶振

  • 編號(hào):79338645
  • 頻率:40MHz
  • 尺寸:7.0×5.0mm
  • RoHS
  • RoHS2
Q-Tech晶振,歐美進(jìn)口晶振,型號(hào)QTCH570,編碼QTCH570ND90-40.000MHz,是頻率40MHz的基模AT切割晶體,有源晶振,可根據(jù)MIL-PRF-55310提供軍事篩選測(cè)試,尺寸7050mm,低功耗晶振,無(wú)鉛環(huán)保晶振,耐高溫晶振,6G模塊晶振,鉆井、數(shù)據(jù)...


QTCH570ND90-40.000MHz|美國(guó)Q-Tech進(jìn)口晶振|6G模塊晶振,Q-Tech晶振,歐美進(jìn)口晶振,型號(hào)QTCH570,編碼QTCH570ND90-40.000MHz,是頻率40MHz的基模AT切割晶體,有源晶振,可根據(jù)MIL-PRF-55310提供軍事篩選測(cè)試,尺寸7050mm,電壓2.5V,負(fù)載15pF,低功耗晶振,無(wú)鉛環(huán)保晶振,耐高溫晶振,6G模塊晶振,鉆井、數(shù)據(jù)記錄工具晶振,石油服務(wù)行業(yè)晶振,高溫應(yīng)用晶振.
QTCH570ND90-40.000MHz|美國(guó)Q-Tech進(jìn)口晶振|6G模塊晶振 特點(diǎn):
●ECCN: EAR99
能夠在多種電源電壓下工作
寬工作溫度-55ºC至+200ºC可用
非常低的功耗
CMOS邏輯1.8Vdc, 2.5Vdc, 3.3Vdc
5.0Vdc CMOS可用于5x7mm和3.2x5mm封裝
三態(tài)輸出標(biāo)準(zhǔn)
基模AT切割晶體
高抗沖擊和抗振動(dòng)
根據(jù)MIL-PRF-55310提供軍事篩選測(cè)試
膠帶和卷軸包裝
無(wú)鉛,符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)
QTCH570ND90-40.000MHz|美國(guó)Q-Tech進(jìn)口晶振|6G模塊晶振 參數(shù)表
項(xiàng)目 規(guī)格說明 條件
額定頻率 40MHz 請(qǐng)聯(lián)系我們以便獲取其它可用頻率的相關(guān)信息
電源電壓 2.5V  
儲(chǔ)存溫度 -55℃~+200℃ 裸存
工作溫度 -55℃~ +185℃  
頻率公差(標(biāo)準(zhǔn)) ±200 ppm +25℃,超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說明請(qǐng)聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)信息
對(duì)稱性(占空比) 45%~55% 在輸出交叉點(diǎn)
輸出邏輯高電平(Voh) 0.9*Vdd min.
 
輸出邏輯低電平(Vol) 0.1*Vdd max.  
負(fù)載 15pf  
工作電源電流(無(wú)負(fù)載) 1.5mA  max.  
上升下降時(shí)間 6ns Max
 
起始時(shí)間 10ms Max  
老化
±5ppm/first year
 

QTCH570ND90-40.000MHz|美國(guó)Q-Tech進(jìn)口晶振|6G模塊晶振尺寸圖

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