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首頁歐美晶振ECLIPTEK晶振EB1216YA10-32.000M-TR無源晶體,美國進口晶振品牌日蝕EB1216

    EB1216YA10-32.000M-TR無源晶體,美國進口晶振品牌日蝕EB1216

  • 編號：88459456
  • 頻率：32MHZ
  • 尺寸：1.6*1.2mm
  • RoHS
  • RoHS2
EB1216YA10-32.000M-TR無源晶體,美國進口晶振品牌日蝕EB1216,Ecliptek晶振,歐美晶振,進口晶振,石英晶體,音叉晶體,超小型晶振,1612mm貼片晶振,石英SMD晶振,型號EB1216,EB1216YA10-32.000M-TR是一款金屬面貼片型的石英晶...

    EB1216YA10-32.000M-TR無源晶體,美國進口晶振品牌日蝕EB1216,Ecliptek晶振,歐美晶振,進口晶振,石英晶體,音叉晶體,超小型晶振,1612mm貼片晶振,石英SMD晶振,型號EB1216,EB1216YA10-32.000M-TR是一款金屬面貼片型的石英晶體諧振器,采用優(yōu)異的原料打磨而成,具備高質量的特點,適合用于智能家居,電子設備,無線模塊等.
    EB1216JA10-24.576M TR晶振高真空退火處理是消除貼片晶振在加工過程中產生的應力及輕微表面缺陷.在PLC控制程序中輸入已設計好的溫度曲線,使真空室溫度跟隨設定曲線對晶體組件進行退火,石英晶振通過合理的真空退火技術可提高晶振主要參數(shù)的穩(wěn)定性,以及提高石英晶振的年老化特性.EB1216YA10-32.000M-TR無源晶體,美國進口晶振品牌日蝕EB1216

EB1216YA10-32.000M-TR晶振  參數(shù)表
Ecliptek晶振 單位 EB1212晶振 石英晶振基本條件
標準頻率 f_nom 32MHZ 標準頻率
儲存溫度 T_stg -55°C～+125°C 裸存
工作溫度 T_use -40°C～+85°C 標準溫度
激勵功率 DL 1.0μW Max. 推薦:100μW ～ 300μW
頻率公差 f_— l ±30ppm +25°C 對于超出標準的規(guī)格說明,
請聯(lián)系我們以便獲取相關的信息, http://m.dxwyp.cn/
頻率溫度特征 f_tem ±50× 10-6 超出標準的規(guī)格請聯(lián)系我們.
負載電容 C 10pF 不同負載要求,請聯(lián)系我們.
串聯(lián)電阻(ESR) R1 150 Ohms -10°C— +60°C, DL = 100μW
頻率老化 f_age ±5 × 10-6 / year Max. +25°C,第一年

EB1216YA10-32.000M-TR無源晶體,美國進口晶振品牌日蝕EB1216  尺寸圖
EB1216YA10-32.000M-TR晶振  使用注意事項
     電源線路
電源的線路阻抗應盡可能低.
     輸出負載
建議將石英晶振輸出負載安裝在盡可能靠近振蕩器的地方（在20 mm范圍之間）.
     未用輸入終端的處理
未用針腳可能會引起噪聲響應,從而導致非正常工作.同時,當P通道和N通道都處于打開時,電源功率消耗也會增加；因此,請將未用輸入終端連接到VCC 或GND.EB1216YA10-32.000M-TR無源晶體,美國進口晶振品牌日蝕EB1216
     熱影響
重復的溫度巨大變化可能會降低受損害的進口晶振產品特性,并導致塑料封裝里的線路擊穿.必須避免這種情況.
     抗沖擊 
抗沖擊是指晶振產品可能會在某些條件下受到損壞.例如從桌上跌落,摔打,高空拋壓或在貼裝過程中受到沖擊.如果產品已受過沖擊請勿使用.因為無論何種石英晶振,其內部晶片都是石英晶振制作而成的,高空跌落摔打都會給晶振照成不良影響. 
     超聲波清洗
（1）使用AT-切割晶體和聲表面濾波器（SAW）/聲表面諧振器的產品,可以通過超聲波進行清洗.但是,在某些條件下, 石英SMD晶振特性可能會受到影響,而且內部線路可能受到損壞.確保已事先檢查系統(tǒng)的適用性.
（2）使用進口音叉晶體和陀螺儀傳感器的產品無法確保能夠通過超聲波方法進行清洗,因為晶振可能受到破壞.EB1216YA10-32.000M-TR無源晶體,美國進口晶振品牌日蝕EB1216
（3）請勿清洗開啟式無源貼片晶體產品
（4）對于可清洗晶振產品,應避免使用可能對產品產生負面影響的清洗劑或溶劑等.
（5）焊料助焊劑的殘留會吸收水分并凝固.這會引起諸如位移等其它現(xiàn)象.這將會負面影響產品的可靠性和質量.請清理殘余的助焊劑并烘干PCB.
     負載電容
有源晶振振蕩電路中負載電容的不同,可能導致振蕩頻率與設計頻率之間產生偏差.試圖通過強力調整,可能只會導致不正常的振蕩.在使用之前,請指明該振動電路的負載電容（請參閱“負載電容”章節(jié)內容）.
       ECLIPTEK晶振將確保其振蕩器和石英晶體諧振器產品及相關設施滿足甚至超出國家的以及地方環(huán)保機構的相關法規(guī)規(guī)定及其他要求,同時該公司盡可能的參與并協(xié)助政府機關和其他官方組織從事的環(huán)保活動. 在地方對各項設施的管理責任中,確保滿足方針的目標指標,同時在各種經營與生產活動中完全遵守并符合現(xiàn)行所有標準規(guī)范的要求.
       Ecliptek晶振將有效率的使用自然資源和能源,以便從源頭減少廢物產生和排放.我們將在關注于預防環(huán)境和安全事故,保護公眾健康的同時,努力改進我們的操作.我公司將積極參與加強公眾環(huán)境、健康和安全意識的活動,提高公眾對普遍的環(huán)境、健康和安全問題的注意.
       ECLIPTEK晶振所有的經營組織都將積極應用國際標準以及適用的法律法規(guī).為促進合理有效的公共政策的制訂實施加強戰(zhàn)略聯(lián)系.消除事故和環(huán)境方面的偶發(fā)事件,減少廢物的產生和排放,有效的使用能源和各種自然資源,對緊急事件做好充分準備,以便及時做出反應.EB1216YA10-32.000M-TR無源晶體,美國進口晶振品牌日蝕EB1216
       對我們的高品質貼片晶體產品進行檢驗,同時告知我們的員工顧客以及公眾,如何安全的使用,如何使用對環(huán)境影響較小,幫助我們的雇員合同方商業(yè)伙伴服務提供上理解他們的行為如何影響著環(huán)境.
制造商零件編號 供應商 系列 類型 頻率 頻率穩(wěn)定性 頻率容差 負載電容
EB2532JA12-26.000M TR Ecliptek EB2532 MHz 晶體 26 MHz ±30ppm ±15ppm 12pF
EB2532JA12-12.000M TR Ecliptek EB2532 MHz 晶體 12 MHz ±30ppm ±15ppm 12pF
EB2532JA12-12.288M TR Ecliptek EB2532 MHz 晶體 12.288 MHz ±30ppm ±15ppm 12pF
EB2532JA12-16.000M TR Ecliptek EB2532 MHz 晶體 16 MHz ±30ppm ±15ppm 12pF
EB2532YA12-12.000M TR Ecliptek EB2532 MHz 晶體 12 MHz ±50ppm ±30ppm 12pF
EB2532YA12-30.000M TR Ecliptek EB2532 MHz 晶體 30 MHz ±50ppm ±30ppm 12pF
EB2532YA12-32.000M TR Ecliptek EB2532 MHz 晶體 32 MHz ±50ppm ±30ppm 12pF
EB2532YA12-13.560M TR Ecliptek EB2532 MHz 晶體 13.56 MHz ±50ppm ±30ppm 12pF
EB2532YA12-24.576M TR Ecliptek EB2532 MHz 晶體 24.576 MHz ±50ppm ±30ppm 12pF
EB2532YA12-16.000M TR Ecliptek EB2532 MHz 晶體 16 MHz ±50ppm ±30ppm 12pF
EB1216JA10-24.000M TR Ecliptek EB1216 MHz 晶體 24 MHz ±30ppm ±15ppm 10pF
EB1216JA10-24.576M TR Ecliptek EB1216 MHz 晶體 24.576 MHz ±30ppm ±15ppm 10pF
EB1216YA10-24.000M TR Ecliptek EB1216 MHz 晶體 24 MHz ±50ppm ±30ppm 10pF
EB1216YA10-24.576M TR Ecliptek EB1216 MHz 晶體 24.576 MHz ±50ppm ±30ppm 10pF
EB1620JA10-24.576M TR Ecliptek EB1620 MHz 晶體 24.576 MHz ±30ppm ±15ppm 10pF
EB1620JA10-25.000M TR Ecliptek EB1620 MHz 晶體 25 MHz ±30ppm ±15ppm 10pF
EB1216YA10-32.000M TR Ecliptek EB1216 MHz 晶體 32 MHz ±50ppm ±30ppm 10pF
EB1620JA10-32.000M TR Ecliptek EB1620 進口石英晶體 32 MHz ±30ppm ±15ppm 10pF
EB1216YA10-27.120M TR Ecliptek EB1216 MHz 晶體 27.12 MHz ±50ppm ±30ppm 10pF
EA2025JA18-30.000M TR Ecliptek EA2025 MHz 晶體 30 MHz ±30ppm ±15ppm 18pF
EA2025SA10-32.000M TR Ecliptek EA2025 MHz 晶體 32 MHz ±10ppm ±10ppm 10pF
EB3250AYA08-8.000M TR Ecliptek EB3250 MHz 晶體 8 MHz ±50ppm ±30ppm 8pF
E1SJA18-6.000M TR Ecliptek E1S MHz 晶體 6 MHz ±30ppm ±15ppm 18pF
E1SJA18-18.432M TR Ecliptek E1S MHz 晶體 18.432 MHz ±30ppm ±15ppm 18pF
E1SFA18-4.000M TR Ecliptek E1S MHz 晶體 4 MHz ±50ppm ±30ppm 18pF
E1SJA18-14.31818M TR Ecliptek E1S MHz 晶體 14.31818 MHz ±30ppm ±15ppm 18pF
E1SJA18-6.144M TR Ecliptek E1S MHz 晶體 6.144 MHz ±30ppm ±15ppm 18pF
E1SJA18-28.63636M TR Ecliptek E1S MHz 晶體 28.63636 MHz ±30ppm ±15ppm 18pF
E1SJA18-13.000M TR Ecliptek E1S MHz 晶體 13 MHz ±30ppm ±15ppm 18pF
E1SJA18-19.6608M TR Ecliptek E1S MHz 晶體 19.6608 MHz ±30ppm ±15ppm 18pF
E1SJA18-9.8304M TR Ecliptek E1S MHz 晶體 9.8304 MHz ±30ppm ±15ppm 18pF
E1SJA18-32.000M TR Ecliptek E1S - - - - -
EA2025MA10-16.000M TR Ecliptek EA2025 MHz 晶體 16 MHz ±20ppm ±15ppm 10pF
EA2025MA10-32.000M TR Ecliptek EA2025 MHz 晶體 32 MHz ±20ppm ±15ppm 10pF
E1WCDA12-32.768K Ecliptek E1WC kHz 晶體（音叉） 32.768 kHz - ±20ppm 12.5pF
E1SJA18-18.000M TR Ecliptek E1S MHz 晶體 18 MHz ±30ppm ±15ppm 18pF
E1SJA18-20.000M TR Ecliptek E1S MHz 晶體 20 MHz ±30ppm ±15ppm 18pF
 

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