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產品系列

首頁歐美晶振suntsu晶振,SXO11C晶振,有源晶體振蕩器

    suntsu晶振,SXO11C晶振,有源晶體振蕩器

  • 編號:53258042
  • 頻率:1~80MHz
  • 尺寸:1.6*1.2*0.7mm
  • RoHS
  • RoHS2
普通有源晶振,是只晶體本身起振需要外部電壓供應,起振后可直接驅動CMOS 集成電路,產品本身已實現與薄型IC(TSSOP封裝,TVSOP封裝)同樣的1mm厚度,斷開時的消費電流是15 μA以下,編帶包裝方式可對應自動搭載及IR回流焊接...

    suntsu晶振,SXO11C晶振,有源晶體振蕩器.貼片晶振本身體積小,超薄型石英晶體振蕩器,特別適用于有目前高速發(fā)展的高端電子數碼產品,因為晶振本身小型化需求的市場領域,小型,薄型是對應陶瓷振蕩器(偏差大)和普通的石英晶體振蕩器(偏差小)的中間領域的一種性價比較出色的產品.產品廣泛用于筆記本電腦,無線電話,衛(wèi)星導航HDD, SSD, USB, Blu-ray等用途,符合無鉛焊接的高溫回流焊曲線特性.
   有源晶振高頻振蕩器使用IC與晶片設計匹配技術:有源晶振是高頻振蕩器研發(fā)及生產過程必須要解決的技術難題.在設計過程中除了要考慮石英晶體振蕩器具有的電性外,還有石英晶體振蕩器的電極設計等其它的特殊性,必須考慮石英晶體振蕩器的供應電壓、起動電壓和產品上升時間、下降時間等相關參數.

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        總部位于美國加利福尼亞州奧蘭治縣,與韓國,中國和臺灣的合資伙伴合作成立.Suntsu進口晶振頻率控制公司成立于2002年,由頻率控制行業(yè)的專業(yè)人士設計,并考慮到三個關鍵原則:1.建立涵蓋全頻譜晶體頻率控制設備的產品陣容,從而為客戶提供滿足頻率控制需求的單一來源.2.通過設計和制造特定于客戶應用的定制組件,鼓勵創(chuàng)造力并支持行業(yè)創(chuàng)新.3.通過按時交付提供高精度晶振的產品來培養(yǎng)長期的客戶關系.

型號 符號 SXO11C
WC - CMOS
輸出頻率范圍 fo 1~80MHz
電源電壓 VCC +1.8V~+3.3V
頻率公差
(含常溫偏差)
f_tol ±20ppm
保存溫度范圍 T_stg -55℃~+125℃
運行溫度范圍 T_use -40℃~+85℃
消耗電流 ICC 45mA max. (fo≦170MHz)
待機時電流(#1引腳"L" I_std 10μA max.
輸出負載 Load-R 15pF
波形對稱 SYM 45~55% [at outputs cross point]
上升時間 下降時間 tr, tf 0.5ns max. [20~80% Output, OutputN]
     自動安裝時的沖擊
自動安裝和真空化引發(fā)的沖擊會破壞產品特性并影響這些進口晶體振蕩器.請設置安裝條件以盡可能將沖擊降至低,并確保在安裝前未對產品特性產生影響.條件改變時,請重新檢查安裝條件.同時,在安裝前后,請確保石英有源晶振未撞擊機器或其他電路板等.
     使用環(huán)境(溫度和濕度)
請在規(guī)定的溫度范圍內使用耐高溫晶振.這個溫度涉及本體的和季節(jié)變化的溫度.在高濕環(huán)境下,會由于凝露引起故障.請避免凝露的產生.
     超聲波清洗
(1)使用AT-切割晶體和表面聲波(SAW)諧振器/聲表面濾波器的產品,可以通過超聲波進行清洗.但是,在某些條件,晶體特性可能會受到影響,而且內部線路可能受到損壞.確保已事先檢查系統(tǒng)的適用性.
(2)使用音叉晶體和陀螺儀傳感器的產品無法確保能夠通過超聲波方法進行清洗,因為晶體可能受到破壞.
(3)請勿清洗開啟式產品
(4)對于可清洗產品,應避免使用可能對石英晶體振蕩器產生負面影響的清洗劑或溶劑等.
(5)焊料助焊劑的殘留會吸收水分并凝固.這會引起諸如位移等其它現象.這將會負面影響晶振的可靠性和質量.請清理殘余的助焊劑并烘干PCB.
     耐焊性
加熱包裝材料至+150°C以上會破壞產品特性或損害晶體振蕩器.如需在+150°C以上焊接晶體產品,建議使用SMD晶振.在下列回流條件下,對美國進口晶振產品甚至振蕩器使用更高溫度,會破壞產品特性.建議使用下列配置情況的回流條件.安裝這些產品之前,應檢查焊接溫度和時間.同時,在安裝條件更改的情況下,請再次進行檢查.如果需要焊接的晶體產品在下列配置條件下進行焊接,請聯系我們以獲取耐熱的相關信息.
      美國SUNTSU晶振遵守法規(guī)和監(jiān)管要求,從事環(huán)保產品的開發(fā).環(huán)境政策,在其業(yè)務活動的所有領域,從開發(fā)、生產和銷售的壓電石英晶體元器件、壓電石英晶體、SPXO有源晶振、壓電陶瓷諧振器,集團業(yè)務政策促進普遍信任的環(huán)境管理活動.
      美國SUNTSU晶振將:通過適當控制環(huán)境影響的物質,減少能源的使用,以達到節(jié)約能源和節(jié)約資源的目的.有效利用資源,防止環(huán)境污染,減少和妥善處理廢物,包括再利用和再循環(huán).通過開展節(jié)能活動和減少二氧化碳排放防止全球變暖.
      避免采購或使用直接或間接資助或受益剛果民主共和國或鄰近國家武裝組織的礦產.遵守有關環(huán)境保護的法律、標準、協(xié)議和任何公司承諾的其他要求.根據環(huán)境方針制定環(huán)境目標和目標,同時促進這些活動,并定期檢討環(huán)境管理體系的持續(xù)改進.在我們的環(huán)境政策中教育所有員工和為我們的團隊工作的人,通過教育和提高意識來提高他們的環(huán)保意識.確保公眾環(huán)境保護活動的信息公開.
      SUNTSU晶振集團認識到進行環(huán)境管理和資源保持的責任和必要性,同時也認識到針對全球環(huán)境問題,為保持國際環(huán)境而進行各行業(yè)建設性的合作是極其重要的.
 

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