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產(chǎn)品系列

首頁歐美晶振ACT晶振,2205-SMX-4晶振,高性能晶振

    ACT晶振,2205-SMX-4晶振,高性能晶振

  • 編號：41129517
  • 頻率：12~62.5MHz
  • 尺寸：2.5*2.0*0.65mm
  • RoHS
  • RoHS2
2520mm體積的低功耗晶振,可以說是目前小型數(shù)碼產(chǎn)品的福音,目前超小型的智能手機里面所應(yīng)用的就是小型的石英晶振,該產(chǎn)品最適用于無線通訊系統(tǒng),無線局域網(wǎng),已實現(xiàn)低相位噪聲,低電壓,低消費電流和高穩(wěn)定度,超小型,質(zhì)量輕...

　   ACT晶振,2205-SMX-4晶振,高性能晶振.小型貼片石英晶振,外觀尺寸具有薄型表面貼片型石英晶體諧振器,特別適用于有小型化要求的市場領(lǐng)域,比如智能手機,無線藍(lán)牙,平板電腦等電子數(shù)碼產(chǎn)品.晶振本身超小型,薄型,重量輕,晶體具有優(yōu)良的耐環(huán)境特性,如耐熱性,耐沖擊性,在辦公自動化,家電相關(guān)電器領(lǐng)域及Bluetooth,Wireless LAN等短距離無線通信領(lǐng)域可發(fā)揮優(yōu)良的電氣特性,滿足無鉛焊接的回流溫度曲線要求.
　   貼片晶振晶片邊緣處理技術(shù):貼片晶振是晶片通過滾筒倒邊,主要是為了去除石英晶振晶片的邊緣效應(yīng),在實際操作中機器運動方式設(shè)計、滾筒的曲率半徑、滾筒的長短、使用的研磨砂的型號、多少、填充物種類及多少等各項設(shè)計必須合理,有一項不完善都會使高精度晶振晶片的邊緣效應(yīng)不能去除,而石英晶振晶片的諧振電阻過大,用在電路中Q值過小,從而電路不能振動或振動了不穩(wěn)定.
        我們還擁有強大的頻率控制產(chǎn)品組合,包括晶體,時鐘振蕩器,TCXO和濾波器.作為discoverIE Group plc的一部分,通過我們的獨立分銷合作伙伴,ACT進(jìn)口晶振可以在全球范圍內(nèi)支持您的頻率控制要求.以工程為主導(dǎo)的技術(shù)支持定制設(shè)計/非標(biāo)準(zhǔn)頻率晶體和微控制器匹配服務(wù)樣品庫存位英國的內(nèi)部技術(shù)實驗室廣泛而成熟的全球分銷網(wǎng)絡(luò)全面的售后支持.

ACT晶振 單位 2205-SMX-4晶振 石英晶振基本條件
標(biāo)準(zhǔn)頻率 f_nom 12~62.5MHz 標(biāo)準(zhǔn)頻率
儲存溫度 T_stg -55°C～+125°C 裸存
工作溫度 T_use -20℃~+70℃
-30℃~+85℃
-40℃~+85℃		 標(biāo)準(zhǔn)溫度
激勵功率 DL 1.0μW Max. 推薦:100μW ～ 300μW
頻率公差 f_— l ±10ppm~±50ppm +25°C 對于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說明,
請聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)的信息, http://m.dxwyp.cn/
頻率溫度特征 f_tem ±50× 10-6 /-30°C～+85°C 超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請聯(lián)系我們.
負(fù)載電容 C 8pF~16pF 不同負(fù)載要求,請聯(lián)系我們.
串聯(lián)電阻(ESR) R1 如下表所示 -10°C— +60°C, DL = 100μW
頻率老化 f_age ±5 × 10-6 / year Max. +25°C,第一年
     裝載SMD產(chǎn)品
SMD晶體產(chǎn)品支持自動貼裝,但還是請預(yù)先基于所使用的搭載機實施搭載測試,確認(rèn)其對特性沒有影響.在切斷工序等會導(dǎo)致基板發(fā)生翹曲的工序中,請注意避免翹曲影響到2520晶振產(chǎn)品的特性以及軟焊.基于超聲波焊接的貼裝以及加工會使得貼片晶體產(chǎn)品(諧振器、振蕩器、濾波器)內(nèi)部傳播過大的振動,有可能導(dǎo)致特性老化以及引起不振蕩,因此不推薦使用.
    引線類型產(chǎn)品
當(dāng)引線彎折、成型以及貼裝到印制電路板時,請注意避免對基座玻璃部分施加壓力.否則有可能導(dǎo)致玻璃出現(xiàn)裂痕,從而引起性能劣化.
    晶體諧振器
如果過大的激勵電力對智能家居晶振外加電壓,有可能導(dǎo)致特性老化或損壞,因此請在宣傳冊、規(guī)格書中規(guī)定的范圍內(nèi)使用.
    晶體振蕩器
晶體振蕩器的內(nèi)部電路使用C-MOS.閉鎖、靜電對策請和一般的C-MOSIC一樣考慮.有些石英晶體振蕩器沒有和旁路電容器進(jìn)行內(nèi)部連接.使用時,請在Vdd-GND之間用0.01μF左右的高頻特性較好的電容器(陶瓷片狀電容器等)以短距離連接.關(guān)于個別機型請確認(rèn)宣傳冊、規(guī)格書.
    晶體濾波器
注意電路板圖形的配置,避免輸入端子和輸出端子靠得太近.如果貼裝晶體濾光片的電路板的雜散電容較大,為了消除該雜散電容,有時需要配置調(diào)諧電路.
      ACT晶振集團認(rèn)識到進(jìn)行環(huán)境管理和資源保持的責(zé)任和必要性,同時也認(rèn)識到針對全球環(huán)境問題,為保持國際環(huán)境而進(jìn)行各行業(yè)建設(shè)性的合作是極其重要的.過去ACT晶振集團已經(jīng)針對重大污染控制項目建立了一整套記錄程序并且將繼續(xù)識別解決其自身環(huán)境污染及保持問題,加強責(zé)任感以便進(jìn)行環(huán)境績效的持續(xù)改進(jìn).
      避免采購或使用直接或間接資助或受益剛果民主共和國或鄰近國家武裝組織的礦產(chǎn).遵守有關(guān)環(huán)境保護的法律、標(biāo)準(zhǔn)、協(xié)議和任何公司承諾的其他要求.根據(jù)環(huán)境方針制定環(huán)境目標(biāo)和目標(biāo),同時促進(jìn)這些活動,并定期檢討環(huán)境管理體系的持續(xù)改進(jìn).在我們的環(huán)境政策中教育所有員工和為我們的團隊工作的人,通過教育和提高意識來提高他們的環(huán)保意識.確保公眾環(huán)境保護活動的信息公開.
      英國ACT晶振遵守法規(guī)和監(jiān)管要求,從事環(huán)保產(chǎn)品的開發(fā).環(huán)境政策,在其業(yè)務(wù)活動的所有領(lǐng)域,從開發(fā)、生產(chǎn)和銷售的壓電石英晶體元器件、壓電石英晶體、有源晶體、壓電陶瓷諧振器,集團業(yè)務(wù)政策促進(jìn)普遍信任的環(huán)境管理活動.英國ACT晶振將：通過適當(dāng)控制環(huán)境影響的物質(zhì),減少能源的使用,以達(dá)到節(jié)約能源和節(jié)約資源的目的.有效利用資源,防止環(huán)境污染,減少和妥善處理廢物,包括再利用和再循環(huán).通過開展節(jié)能活動和減少二氧化碳排放防止全球變暖.
      ACT晶振集團將:不論何時何地盡可能的進(jìn)行源頭污染預(yù)防.為環(huán)境目標(biāo)指標(biāo)的建立與評審提供框架.通過充分利用或回收等方法實現(xiàn)對自然資源的保持

1.技術(shù)支持                                                                        2.客服咨詢                            
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